A japán elektronikai gyártó nanoimprint litográfia (NIL) technológiát használó chipgyártó berendezések új sorozatát dobja piacra.
A NIL-ről az állítja, hogy egyszerűbb eljárás, mint az extrém ultraibolya litográfia (EUV), és ami legalább olyan fontos, jelentősen csökkentheti az energiafogyasztást és a gyártáshoz kapcsolódó költségeket is.
Szakértők szerint az alternatív eljárás kifejlesztésére az EUV gépek Kínába való exportjának a tilalma ösztönözhette a Canont.
A cég közleménye szerint a hagyományos fotolitográfiai berendezésekkel ellentétben, amelyek az áramköri mintát a reziszt bevonatú waferre(szelet) vetítve adják át, az új termék ezt úgy teszi, hogy az áramköri mintával a waferre nyomott maszkot, mint egy bélyegzőt, rányomja az ellenállásra.
Mivel az áramköri mintázat átviteli folyamata nem megy keresztül optikai mechanizmuson, a maszk finom áramköri mintái hűen reprodukálhatók a waferen. Így akár összetett két- vagy háromdimenziós áramköri minták is kialakíthatók ki egyetlen lenyomatban, ami csökkentheti a költségeket.
A Canon NIL technológiája legalább 14 nanométeres(nm) vonalszélességű mintázatot tesz lehetővé, ami megfelel a jelenleg elérhető legfejlettebb logikai félvezetők előállításához szükséges 5 nm-es node-nak. (A node gyártástechnológiai generáció, amit nanométerben fejeznek ki: minél kisebb a mutató, annál fejlettebb a gyártás, kisebb a méret és az áramfogyasztás.)
Használható az XR-ek metalencséihez is
A maszktechnológia további fejlesztésével képbe jöhet a legalább 10 nm-es vonalszélesség, ami már 2 nm-es node-nak felel meg.
Az új termék új fejlesztésű környezetellenőrzési technológiája lehetővé teszi a növekvő rétegszámú félvezetők gyártásához szükséges nagy pontosságú illesztést és a finom részecskékből adódó hibák csökkentését, valamint finom és összetett áramkörök kialakítását, ami kell a legmodernebb félvezető eszközök gyártásához.
Mivel az új termék nem igényel speciális hullámhosszú fényforrást a finom áramkörhöz, jelentősen csökkentheti az energiafogyasztást a jelenleg elérhető legfejlettebb logikai félvezetők fotolitográfiai berendezéseihez képest (5 nm-es node 15 nm-es vonalszélességgel), ezáltal hozzájárul a széndioxid-kibocsátás csökkentéséhez.
Az új technológia a logikai és egyéb félvezető eszközök mellett sokféle egyéb terméknél is használható, például a több tíz nanométeres mikrostruktúrájú XR-ekhez(kiterjesztett valóság) készült metalencséknél is.
